Infineon plant in Villach die industrielle Skalierung seiner Galliumnitrid-Technologie. Grundlage sind Wafer mit einem Durchmesser von 300 Millimetern. Auf diesen Wafern entstehen energieeffiziente Leistungshalbleiter für zahlreiche Anwendungen. Für die Erweiterung vorhandener Reinräume sind 1,1 Milliarden Euro eingeplant. Die Investitionen werden über einen Zeitraum bis 2034 verteilt. Ende 2027 soll die Fertigung erstmals regulär produzieren. Der weitere Kapazitätsaufbau hängt von der Marktentwicklung in Zielbranchen ab.
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300-Millimeter-Fertigung beschleunigt die industrielle Skalierung von GaN-Leistungshalbleitern bei Infineon
Der Ausbau in Villach schafft eine moderne Fertigungsplattform für GaN-Leistungshalbleiter. Infineon setzt dabei auf Wafer mit einem Durchmesser von 300 Millimetern. Diese Dimension ermöglicht hohe Ausbringungsmengen bei industriell standardisierten Produktionsschritten. Auf jedem Wafer lassen sich zahlreiche Halbleiterbauelemente gemeinsam bearbeiten. Das unterstützt die Skalierung der Technologie für wachsende Anwendungsfelder. Neben der Fertigung profitiert auch die technische Kompetenz am Standort. Villach wird damit als global ausgerichtetes Zentrum für Leistungshalbleiter weiterentwickelt.
Infineon nutzt bestehende Produktionsstrukturen für kostengünstigen Fertigungshochlauf in Villach
Vorhandene Reinräume bilden die bauliche Basis der geplanten Expansion. Infineon aktualisiert darin Anlagenumfeld Versorgungstechnik und erforderliche Prozessausstattung systematisch umfassend. Weil keine vollständige neue Fabrik entsteht bleiben Erschließungskosten begrenzt insgesamt. Der Standort kann seine bestehende industrielle Infrastruktur weiter ausschöpfen dadurch. Dies erleichtert die zeitliche Abstimmung zwischen Investitionen und Kundenbedarf erheblich. Produktionskapazitäten werden erst dann erweitert wenn die Nachfrage dies rechtfertigt. Der Ansatz kombiniert technische Erneuerung mit einer wirtschaftlich kontrollierten Skalierung.
GaN adressiert steigende Nachfrage nach leistungsfähiger energieeffizienter Halbleitertechnik weltweit
Galliumnitrid-Halbleiter verbessern Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten übertragen. Diese Eigenschaften unterstützen die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung bedient daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Milliardeninvestition sichert flexiblen Ausbau der GaN-Fertigung bis 2034 langfristig
Infineon plant den Beginn der GaN-Leistungshalbleiterfertigung in Villach für das vierte Quartal des Jahres 2027. Bis einschließlich 2034 sollen etwa 1,1 Milliarden Euro in den Ausbau fließen. Die Kapazitätsplanung folgt einem flexiblen Ansatz, bei dem die Entwicklung der Kundennachfrage maßgeblich ist. Zusätzliche Produktionsstufen werden erst entsprechend dem Bedarf umgesetzt. Auf diese Weise kann das Unternehmen Investitionen, Anlagenbelegung und Liefermengen mit den tatsächlichen Anforderungen der relevanten Märkte abstimmen.
Fördermittel des Europäischen Chips Acts stärken Villachs Produktionsbasis deutlich
Als Teil des Europäischen Chips Acts wird die neue Fertigung mit 319 Millionen Euro unterstützt. Die öffentliche Finanzierung unterstreicht die Bedeutung des Standorts für Europas Halbleiterstrategie. Sie hilft dabei, eine zusätzliche industrielle Quelle für moderne Leistungshalbleiter zu etablieren. Insbesondere bei Anwendungen mit hohen Anforderungen an Energieeffizienz und Leistung verbessert die Kapazität die Verfügbarkeit von Bauelementen. Darüber hinaus kann die Förderung Investitionen in Fachwissen, Prozesse und Produktionsinfrastruktur auslösen und Europas Wettbewerbsfähigkeit erhöhen.
Villach wird durch die Investition zum zentralen GaN-Produktionsstandort Europas weiter. Infineon setzt dabei auf vorhandene Reinräume und moderne Prozessausrüstung konsequent. Diese Kombination erlaubt einen effizienten Ausbau ohne vollständigen Standortneubau zusätzlich. Die Kapazitätsplanung folgt der Entwicklung tatsächlicher Nachfrage am Weltmarkt fortlaufend. Hergestellte Chips können energieintensive Systeme effizienter und kompakter machen helfen. Davon profitieren Betreiber von Rechenzentren ebenso wie Gerätehersteller und Fahrzeugbauer. Der Chips Act verbessert außerdem die Widerstandsfähigkeit europäischer Lieferketten nachhaltig.
